【yabo.com官网科技动静】4月30日，三星电子于2026年第一季度财报德律风集会上暗示，近期通用DRAM的盈利能力已经高在高带宽存储器（HBM），但公司将维持二者之间的平衡出产比重。

三星电子

三星电子方面认可：“近期通用DRAM的价格呈现上涨，其盈利能力确凿比HBM更高。”公司注释称，HBM以年度为单元提早签署供给合同，而通用DRAM则以季度为单元举行价格协商，是以通用DRAM可以或许更早反应价格上升趋向，致使短时间内的收益性呈现逆转。

不外，三星电子明确暗示，不会由于通用DRAM短时间盈利更高而年夜幅调解出产布局。公司夸大，若出产过分向通用DRAM歪斜，反而会加重HBM的求过于供场合排场，届时HBM的盈利能力有望从头追逐上来。是以，三星规划于通用DRAM及HBM之间维持平衡的出产比例，统筹短时间事迹与持久战略。

三星电子半导体营业卖力人进一步吐露，HBM4的差异化机能已经经吸引了年夜量客户需求，公司为HBM4预备的全数产能均已经售罄。估计本年下半年，HBM4的供给量将周全扩展，其发卖额将于第三季度占到三星总体HBM发卖额的一半以上，于本年整年也将盘踞过半比重。

于技能迭代方面，三星电子已经将1c纳米制程的DRAM引入HBM4出产以晋升产物机能。同时，下一代高带宽存储器HBM4E（第七代HBM）的首批样品规划在本年第二季度向重要客户供给，相干营业预备事情正于加快推进。

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